jīnshǔyǎnghuàwùbàndǎotǐjíchéngdiànlù

金属氧化物半导体集成电路

拼音jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ jí chéng diàn lù

注音ㄐ一ㄣㄕㄨˇ 一ㄤˇ ㄏㄨㄚˋ ㄨˋ ㄅㄢˋ ㄉㄠˇ ㄊ一ˇ ㄐ一ˊ ㄔㄥˊ ㄉ一ㄢˋ ㄌㄨˋ

词语解释

⒈ 简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路（cmos）。应用广泛。

互补：

①互为补角。

②互相补充：沿海和内地互通有无，互补互利。

应用：

①使用：应用方法｜理论应用于具体实践。

②具有实用价值的：应用文｜基础理论和应用技术同样重要。

构成：

①形成；造成：眼镜由镜片和镜架构成ㄧ违法情节轻微，还没有构成犯罪。

②结构

①：研究所目前的人员构成不尽合理。

功耗：

功率的损耗。电路中通常指元、器件上耗散的热能。有时也指整机或设备所需的电源功率。

工艺：

①将原材料或半成品加工成产品的工作、方法、技术等：工艺复杂ㄧ工艺精细。

②手工艺：工艺品。